РЕКЛАМА

Загрузка...
' />

История создания флэш памяти

Первой энергонезависимой памятью была ROM (ПЗУ) - Read Only Memory. Из названия становится понятно, что данный тип имеет единственный цикл записи. Он осуществляется сразу при производстве, путем нанесения алюминиевых дорожек между ячейками ROM литографическим способом. Наличие такой дорожки означает 1, отсутствие 0. К сожалению, этот вид памяти не приобрел большой популярности, так как процесс изготовления микросхемы ROM занимает длительное время (от 4 до 8 недель).

История создания флэш памяти


Но, как это ни парадоксально, стоимость памяти довольно низкая (естественно, при больших объемах производства), а информацию с нее можно стереть только молотком или паяльной лампой. Естественно, что ROM дело не ограничилось. Возникла острая необходимость в перезаписи памяти, а каждый раз выпускать ПЗУ с новыми данными было дорого и нерационально. Поэтому ROM сменила PROM (Programmable ROM). Микросхему с такой памятью можно было подвергнуть повторному (правда, единственному) прожигу с помощью специального устройства – программатора. Дело в том, что PROM производилась немного по другой технологии. Дорожки между ячейками были заменены плавкими перемычками, которые могли быть разрушены путем подачи высокого напряжения на микросхему. Таким образом, появляется единственный цикл перезаписи.

История создания флэш памяти


Рождение EPROM. Как было сказано выше, ROM и PROM относятся к виду неперезаписываемой энергонезависимой памяти. В 1971 году Intel выпускает совершенно новую микросхему памяти под аббревиатурой EPROM (Erasable Programmable ROM). Такую микросхему можно было подвергать неоднократной перезаписи путем облучения чипа рентгеновскими или ультрафиолетовыми лучами. Память, стираемая ультрафиолетом, появляется немного позднее и носит аббревиатуру UV-EPROM. В такой микросхеме имеется небольшое окошко с кварцевым стеклом. За ним находится кристалл, который облучается ультрафиолетом. После стирания информации это окошко заклеивают.

Частичная перезапись данных по-прежнему остается невозможной, так как рентгеновские и ультрафиолетовые лучи изменяют все биты стираемой области в положение 1. Повторная запись данных осуществляется также на программаторах (как в ROM и EROM). Вообще, EPROM была основана на МОП (металл-оксид-полупроводник) транзисторах. Запись данных в ячейки такого транзистора производилась методом лавинной инжекции заряда (о методах записи будет сказано ниже). Этот метод давал возможность неоднократно перезаписывать данные памяти (хотя количество циклов было ограниченным). Таким образом, вместе с EPROM рождается поколение NVRWM, что расшифровывается как NonVolatile Read-Write Memory. Но, несмотря на абсолютно новую технологию, этот вид был вытеснен с рынка другими видами памяти.

История создания флэш памяти


через восемь лет, в 1979 году после выхода EPROM, фирма Intel разрабатывает новый вид памяти, которая могла быть перезаписана частями. С помощью электрического тока становилось возможным изменение данных в определенной ячейке микросхемы. Это нововведение уменьшало время программирования, а также позволяло отказаться от внешних устройств-программаторов. Для записи данных память достаточно было подключить к системной шине микропроцессора, что значительно упрощало работу с микросхемой. За удовольствие надо платить... Поэтому стоимость EEPROM была высокой. Это неудивительно, так как технологии производства такой памяти были очень сложными.

В отличие от предыдущего EPROM, увеличивалось количество циклов перезаписи информации. Наконец в 1984 году компания Toshiba разрабатывает принципиально новый вид памяти под названием Flash. Через четыре года Intel выпускает свой вариант Flash-памяти (поэтому иногда ее создание незаслуженно приписывают этой компании). Но обо всем по порядку. Flash-память была создана в 1984 году. Сразу после этого начался интенсивный процесс развития этого вида, а на ее предшественницу торжественно забили (хотя EEPROM еще долгое время рулил на рынке). Устройство Flash имеет довольно сложную структуру. Дело в том, что процессы перепрожига микросхемы базируются на законах квантовой механики. В самом простом случае ячейка Flash состоит из одного полевого транзистора.

Элемент включает в себя специальную электрически изолированную область, называемую “плавающим затвором”. Этот термин возник из-за того, что потенциал этой области не является стабильным, что позволяет накапливать в ней электроны (именно здесь и хранится вся информация памяти). Выше “плавающего” находится управляющий затвор, который является неотъемлемой частью при процессе записи/стирания данных памяти. Эта область напрямую соединена с линией слов. Перпендикулярно этой линии располагается линия битов, которая соединена со стоком (при записи данных из этой области транзистора появляется поток электронов). Сток разделяется с истоком специальной подложкой, которая не проводит электрический ток. Запись данных во Flash происходит методом инжекции "горячих" электронов, а стирание – методом туннелирования Фаулера-Нордхейма (Jox=A*E^2*exp(-Eo/E), где Jox – туннельный ток инжекции, А – константы, E – напряженность электрического поля).
6
2358
2 апреля 2009
Уважаемый посетитель, Вы зашли на сайт как незарегистрированный пользователь. Мы рекомендуем Вам зарегистрироваться либо зайти на сайт под своим именем.
Смотрите также
Стиратели памятиСтиратели памяти

Долговременная эпизодическая память устроена таким образом, что вспоминая какое–нибудь событие из этой памяти, мы обречены заново \"перезаписать\" это...

Kingston выпускает карту CF Elite Pro емкостью 32 ГбKingston выпускает карту CF Elite Pro емкостью 32 Гб

Компания Kingston сообщила о расширении своей линейки Elite Pro, которая включает в себя карты памяти формата Compact Flash. Новая карта имеет объем 3...

Новые карты памяти для мобильных телефонов от компании SanDiskНовые карты памяти для мобильных телефонов от компании SanDisk

Компания SanDisk анонсировала новые карты памяти форматов серии SanDisk Mobile Ultra, в которую входят карты форматов microSDHC и Memory Stick Micro (...

Intel выпустила Intel выпустила "убийцу" флеш-памяти

Intel совместно с STMicroelectronics приступила к поставкам пробных образцов первой в мире фазовой памяти. Устройство под названием Alverstone выполне...

Загрузка...
Комментарии

Voodoo550
2 апреля 2009 22:40
lol

DiMoS
2 апреля 2009 22:42
Помню как раньше микрухи от АОНов ультрафиолетовой лампой очищали и таскали на радио-рынок для заливки новых прошивок. Золотое было время! winked

Стифлер
3 апреля 2009 00:04
последних два предложения не осилил(

Voodoo550
3 апреля 2009 00:18
lol

nautica
4 апреля 2009 15:03
Voodoo550, убей сепя апстену!!!
Познавательная фигня..но тема не раскрыта полностью

Tugcrereled
19 июня 2011 01:14
Когда вы решитесь торрент клиент скачать , попробуйте быть подготовленным к возможным
испытаниям, начиная от пойманного вируса и заказнчивая
настойчивым стуком в дверь от милицейского патруля, который хочет забрать
ваш компьютер и проверить его на наличие нелицензионных программных копий.
Посетители, находящиеся в группе Гости, не могут оставлять комментарии в данной новости.
Воскресенье, 25 Июня
USD 1.9284
EUR 2.1544
RUB 0.0323
Bebop 1 минут назад Да норм. Не перевернулся, и ладно. Ничего особенного. kotad 30 минут назад тупая, мразотная малолетка маблер псаки - пора тебе на парашу - кукарекать!!! PROSTO CHEL 43 минут назад 44 похожи на мои Mab 62 минут назад kotad, у тебя такой лексикон, как будто тебе каждый день прочищали гудок в местах не столь отдаленных. И продолжают прочищать во время твоих очередных высеров. Margasan 81 минут назад Ну, на полигоне мы пытались дрифтовать на танках, но вот на асфальте, да ещё и в городе!
kolyan77577 88 минут назад ай на нэ на нэ.... kotad 163 минут назад
Цитата: Mab
У тебя мозгов нет.

если у тебя мозгов много, то почему ты нищий и безработный? а, плечевая дура маблер псаки?
Цитата: Mab
Остальное не важно.

LOL. и это говорит жертва инцеста и кому в детстве "пистолетом" прочистили "задний гудок".
Mab 188 минут назад
Цитата: kotad
- у меня

У тебя мозгов нет. Остальное не важно.

Агент ФСБ Гравер, приехавший вербовать офицеров СБУ, задержан в Одессе, - журналист. ФОТО
Новости от партнеров
Сейчас на сайте
27 пользователей, 893 гостя